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Aumente a potência do PC PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ rápido Díodo de recuperação regulador de alta tensão MOSFET
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Product origin: Shanghai, China
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US$ 0.2

Description
Descrição Geral
O MOSFET de alta tensão GreenMOS utiliza a tecnologia de equilíbrio de carga para alcançar uma excelente resistência baixa e carga de porta mais baixa. Foi concebido para minimizar a perda de condução, proporcionar um desempenho de comutação superior e uma robusta capacidade de avalanche.
A série Z da GreenMOS está integrada com um díodo de recuperação rápida (FRD) para minimizar o tempo de recuperação inversa. É adequado para topologias de comutação ressonantes para alcançar maior eficiência, maior confiabilidade e fator de forma menor.

Comodidades
  • RDS BAIXO (LIGADO) E FOM
  • Perda de comutação extremamente baixa
  • Excelente estabilidade e uniformidade
  • Díodo de corpo ultra-rápido e robusto

Aplicações                                                                                           
  • Alimentação do PC
  • Energia de telecomunicações
  • Alimentação do servidor
  • Carregador de EV
  • Acionador do motor

Parâmetros de desempenho chave
 
Parâmetro Valor Unidade
VDS, mín. @ TJ (máx.) 700 V
ID, impulso 240 A
RDS (LIGADO), MÁX. @ VGS: 10 V. 38 MΩ
QG 175 NC

Informações de marcação
 
Nome do produto Pacote Marcação
OSG65R038HZF TO247 OSG65R038HZ
As classificações máximas absolutas a TJ são de 25 ° C, salvo indicação em contrário
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Drenagem - Tensão de origem VDS 650 V
Porta - tensão de fonte VGS ± 30 V
Corrente de purga continual1), TC 25 ° C
ID 		80
A
Corrente de purga continual1), TC 100 ° C 50
Corrente de purga pulsar2), TC 25 ° C ID, impulso 240 A
Corrente contínua de avanço de diodos 1), TC 25 ° C É 80 A
Corrente pulsante de diodos 2), TC 25 ° C É, impulso 240 A
 Dissipação de energia3) , TC 25  ° C PD 500 W
Energia de avalanche pulsada simples 5) EAS 2900 MJ
Robustez MOSFET dv/dt, VDS … 0 480 V dv/dt 100 V/ns
Díodo de marcha-atrás dv/dt, VDS … 0 480 ≤ V, ISD ID dv/dt 50 V/ns
Temperatura de funcionamento e armazenamento Tstg, TJ -55 a 150 ° C

Características térmicas
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caixa de junção RθJC 0.25 ° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4) RθJA 62 ° C/W

Características eléctricas a 25 ° C, excepto especificação em contrário
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste

Drenagem - Tensão de avaria da fonte
BVDSS 		650   
V 		O VALOR DE VGS É DE 0 V, COM UMA ID DE 2 MA
700 770  VGS: 0 V, ID: 2 mA, TJ: 150 ° C
Limite da porta
tensão 		VGS (TH) 3.0  4.5 V VDS: VGS, ID: 2 MA

Fonte de drenagem
resistência no estado ligado
RDS (LIGADO) 		 0.032 0.038
Ω 		VGS: 10 V, ID: 40 A
 0.083  VGS: 10 V, ID: 40 A, TJ: 150 ° C
Porta - corrente de fuga da fonte
IGSS 		  100
An 		VGS: 30 V
  -100 VGS: -30 V
Corrente de fuga da fonte de drenagem IDSS   10 μA VDS: 650 V, VGS: 0 V
Resistência da porta RG  2.1  Ω ƒ 1 MHz, dreno aberto

Características dinâmicas
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Capacidade de entrada CISS  9276  PF
VGS: 0 V, VDS: 50 V,
ƒ 100 kHz
Capacidade de saída COSS  486  PF
Capacidade de transferência inversa CRSs  12.8  PF
Capacidade de saída efectiva, relacionada com energia Co(er)  278  PF
VGS: 0 V, VDS: 0 V - 400 V
Capacidade de saída efectiva, relacionada com o tempo Co (tr)  1477  PF
Tempo de atraso de activação td (ligado)  55.9  ns
VGS: 10 V, VDS: 400 V, RG Ω 2 40, ID: A
Tempo de subida tr  121.2  ns
Desligar o tempo de atraso td (desligado)  114.2  ns
Tempo de queda tf  8.75  ns

Características de carga da porta
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Carga total da porta QG  175.0  NC

VGS: 10 V, VDS: 400 V, ID: 40 A
Gate - carregamento da fonte QGS  40.1  NC
Porta - carga de drenagem QGD  76.1  NC
Tensão de plateau da porta Vplatô  6.4  V

Características do díodo da carroçaria
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do díodo VSD   1.3 V É DE 80 A, VGS: 0 V
Tempo de recuperação inverso trr  180  ns
É DE 30 A,
Di/dt: 100 A/μs
Carga de recuperação inversa QRR  1.5  UC
Corrente de recuperação de pico inverso Irrm  15.2  A

Nota
  1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
  2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
  3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado numa placa de 1 em 2 FR-4 com 2 oz. Cobre, num ambiente de ar imóvel com Ta 25 ° C.
  5. VDD: 300 V, VGS: 10 V, L: 40 MH, arranque TJ: 25 ° C.

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