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Conversor Flyback Aux Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão
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Conversor Flyback Aux Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

Min.Order: 660
Product origin: Shanghai, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 0.2

Description
Descrição geral
Gsg90R1K2xF utilizam tecnologia GreenMOSTM avançado para fornecer baixa RDS(ligado), porta de baixa carga, a comutação rápida e excelentes características de avalanches. Este equipamento é adequado para correção do fator de potência ativo e aplicativos de fonte de alimentação de modo de comutação.


                                      Aplicações de recursos
  1. Baixa RDS(ligado) e                                             Iluminação da FOM
  2.                              Disco rígido de perdas de comutação extremamente baixa PWM de comutação
  3. A uniformidade e estabilidade excelente fonte de               alimentação do servidor
  4. Fácil de                              carregador de acionamento

Os parâmetros de desempenho chave
 
    1. As classificações de máximo absoluto em Tj=25ºC salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão da fonte de drenagem O VDS 900 V
Tensão de origem da porta VGS ±30 V
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 ºC ID 5 Um
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 ºC 3.2
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 ºC ID, pulso 15 Um
Dissipação de energia3) para A251, A262, Tc=25 ºC PD 83 W
Dissipação de energia3) para a220F, Tc=25 ºC 31
Energia avalanche pulsada única5) O EAS 211 MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V Dv/dt 50 V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID Dv/dt 15 V/ns
Temperatura de operação e armazenamento Tstg,TJ -55 a 150 ºC
 
 
  1. &Bsp Características térmicas;
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
A251/A262 A220F
Resistência térmica, caso de junção RθJC 1.5 4.0 ºC/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) RθJA 62 62,5 ºC/W
  1. Características eléctricas em tj = 25 ºC salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste

Tensão de ruptura de fonte de drenagem
BVDSS 		900   
V 		VGS = 0 V, ID=250 μA
960 1070  VGS = 0 V, ID=250 μA,
Tj=150 ºC
Tensão de limiar da porta VGS (TH) 2.0  4.0 V O VDS=VGS, ID=250 μA

Fonte de drenagem no estado de resistência
RDS(ligado) 		 1.0 1.2
Ω 		VGS=10 V, ID=2 A
 2.88  VGS=10 V, ID=2 A,
Tj=150 ºC

Gate fonte de corrente de fuga
IGSS 		  100
América do Norte 		VGS=30 V
  -100 VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga IDSS   10 ΜA O VDS=900 V, VGS = 0 V
  1. Características dinâmicas
 
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Capacitância de Entrada Os Ciss  874.2  PF VGS = 0 V, VDS = 50 V,
F=100 kHz
A capacitância de saída Coss  37,5  PF
A capacitância de transferência de ré Sir  1.7  PF
Gire o tempo de atraso Td(a)  33.23  Ns VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A
Tempo de elevação Tr  26,50  Ns
Tempo de retardo de desligamento Td(Desligado)  44.00  Ns
Tempo de queda Tf  17.63  Ns
 
 
  1. Características de carga da porta
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Total de carga da porta Qg  12.50  NC
ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V
Porta de carga da fonte O programa QGS  3.75  NC
Porta de carga de drenagem Qgd  4.28  NC
Tensão do planalto de bico valvulado Vplateau  5.8  V
  1. Características do Diodo do corpo
 
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
O diodo corrente de avanço É   5
Um
VGS<V
Corrente de fonte pulsada ISP   15
Tensão de avanço do diodo VSD   1.3 V É=5 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré Trr  265.87  Ns
VR=400 V, é=5 A,
Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré Qrr  2.88  ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré Irrm  19.51  Um
  1. Nota
 
  1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
  2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
  3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 ºC.
  5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, começando a tj = 25 ºC.
  
   
   
   
   

Marcação de informações
 
Nome do produto Package Marcação
Gsg65R038HZF A247 Gsg65R038HZ
As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão da fonte de drenagem O VDS 650 V
Tensão da fonte de bico valvulado VGS ±30 V
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C
ID 		80
Um
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C 50
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C ID, pulso 240 Um
Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C É 80 Um
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C É, pulso 240 Um
 Dissipação de energia3)  ,Tc=25  °C PD 500 W
Energia avalanche pulsada única5) O EAS 2900 MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V Dv/dt 100 V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID Dv/dt 50 V/ns
Temperatura de operação e armazenamento Tstg, TJ -55 a 150 °C

As características térmicas
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caso de junção RθJC 0.25 °C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) RθJA 62 °C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste

Tensão de ruptura de fonte de drenagem
BVDSS 		650   
V 		VGS = 0 V, ID=2 mA
700 770  VGS = 0 V, ID=2 mA, tj = 150 °C
O limiar da porta
A tensão 		VGS (TH) 3.0  4.5 V O VDS=VGS, ID=2 mA

Fonte de drenagem
No estado de resistência
RDS(ligado) 		 0,032 0,038
Ω 		VGS=10 V, ID=40
 0,083  VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga
IGSS 		  100
América do Norte 		VGS=30 V
  -100 VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga IDSS   10 ΜA O VDS=650 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado RG  2.1  Ω Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Capacitância de Entrada Os Ciss  9276  PF
VGS = 0 V, VDS = 50 V,
Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída Coss  486  PF
A capacitância de transferência de ré Sir  12.8  PF
Saída efectiva capacitância energia relacionada Co(ER)  278  PF
VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Saída efectiva capacitância hora relativas Co (tr)  1477  PF
Gire o tempo de atraso Td(a)  55,9  Ns
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40
Tempo de elevação Tr  121,2  Ns
Tempo de retardo de desligamento Td(Desligado)  114,2  Ns
Tempo de queda Tf  8.75  Ns

Características de carga da porta
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Total de carga da porta Qg  175.0  NC

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40
Porta de carga da fonte O programa QGS  40.1  NC
Porta de carga de drenagem Qgd  76,1  NC
Tensão do planalto de bico valvulado Vplateau  6.4  V

Características do Diodo do corpo
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do diodo VSD   1.3 V É=80 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré Trr  180  Ns
É=30 A,
Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré Qrr  1.5  A COMUNICAÇÃO UNIFICADA
Pico de corrente de recuperação de ré Irrm  15.2  Um

Nota
  1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
  2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
  3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.
  5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, começando a tj = 25 °C.
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