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As células Topcon do tipo N são baseadas em um disco de silício cristalino não dopado.
As células fotovoltaicas diferem na sua estrutura de camadas em células do tipo P carregadas positivamente e células do tipo N carregadas negativamente. Com células tipo P, a camada base é dopada com boro, que tem um elétron menor que o silício. Isto cria um orifício de eletrões e os transportadores de carga positivos predominam. Nas células do tipo N, a camada base é dopada com fósforo. Este tem um elétron mais do que o silício. Esta dopagem gera electrões livres.
A maior eficiência das células do tipo N é causada por estes eletrões livres. São também responsáveis pelas perdas de potência extremamente baixas e evitam fenómenos como o PID e A TAMPA.
| Modelo do Painel Solar | GSM570M10-144HC | GSM575M10-144HC | GSM580M10-144HC | GSM585M10-144HC | GSM590M10-144HC |
| Potência de pico Watts - Pmax (WP) * | 570 W. | 575 W. | 580W | 585 W. | 590 W. |
| Tensão de alimentação máxima - Vmpp (V) | 42.07 | 42.22 | 42.37 | 42.52 | 42.67 |
| Corrente de potência máxima - alfaia (A) | 13.55 | 13.62 | 13.69 | 13.76 | 13.83 |
| Tensão em circuito aberto - VOC (V) | 50.74 | 50.88 | 51.02 | 51.16 | 51.30 |
| Corrente de curto-circuito - ISC (A) | 14.31 | 14.39 | 14.47 | 14.55 | 14.63 |
| Eficiência do módulo (%) | 22.06 | 22.25 | 22.44 | 22.64 | 22.84 |
| Tolerância de saída de potência - Pmax (W) | 0 ~ 5 | ||||
| Coeficiente de temperatura de Pmax | -0.3%/ºC | ||||
| Coeficiente de temperatura de COV | -0.25%/ºC | ||||
| Coeficiente de temperatura do ISC | 0.046%/ºC | ||||
| STC | Irradiância 1000 W/m2, temperatura da célula 25, massa de ar AM1.5 | ||||
2279 * 1134 * 35 mm / 29,4 KG
31 unidades/palete, 620 unidades/40HC
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