Большой экран для отображения RoHS лучше галлия Nitride (ГАН) устройства с высокой частотой операций Super Si Oss65R340FF для220f Mosfet

Min.Order: 660

Product origin: Shanghai, China

Infringement complaint:

Complaint

US$ 0.2

Description

Общее описание
В GreenMOS® использует MOSFET высокого напряжения заряда баланс технологий для достижения выдающихся низким сопротивлением и опустите заслонку. Она разработана с целью сведения к минимуму потери проводимости, обеспечивают превосходную производительность коммутации и надежные лавину.
В серии SuperSi GreenMOS® основана на восточные National Semiconductor уникальный дизайн устройства для достижения очень быстрой коммутации характеристики. Он идеально подходит для замены галлия Nitride (ГАН) устройства с высокой частотой операций с лучше прочность и стоимости. Она предназначена для удовлетворения самых агрессивных стандартов энергоэффективности и источник питания системы нажатием как производительность и плотность мощности для экстремальных пределов.

Функции

Низкое RDS(on) и СП
Чрезвычайно низкий уровень потерь и коммутации
Отличная стабильность и равномерность
Простота конструкции в

Приложения

Зарядное устройство для энергетического доплера
Дисплей с большим экраном
Телекоммуникационные мощности
Питание сервера

Основные параметры

Параметр	Значение	Блок управления
VDS, мин @ Tj (макс.)	700	V
ID, частота пульса	36	A
RDS(on), макс. @ VGS=10V	340	Мом
Qg	9.6	NC

Маркировки

Название продукта	Пакет	Маркировка
Ссо65R340DF	Чтобы252	Ссо65R340D

Абсолютные максимальные ограничения на TJ = 25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Значение	Блок управления
Слейте масло из-источник напряжения	VDS	650	V
Ворота на источник высокого напряжения	VGS	±30	V
Непрерывный ток слива¹⁾, TC=25 °C	ID	12	A
Непрерывный ток слива¹⁾, TC=100 °C	ID	7.6	A
Импульсный ток слива²⁾, TC=25 °C	ID, частота пульса	36	A
Непрерывное диод переднего хода¹⁾, TC=25 °C	-	12	A
Диод импульсный ток²⁾, TC=25 °C	- Частота пульса	36	A
Рассеиваемая мощность³⁾, TC=25 °C	PD	83	W
Один импульсный лавину энергии5)	EAS	200	MJ
MOSFET dv/dt прочность, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Диод заднего хода dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	-55 до 150	°C

Температурные характеристики

Параметр	Символ	Значение	Блок управления
Тепловое сопротивление, перекресток в каждом отдельном случае	RθJC	1.5	°C/W
Тепловое сопротивление, перекресток - температура окружающей среды4)	RθJA	62	°C/W

Электрические характеристики на TJ = 25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
Слейте масло из источника напряжения с разбивкой	BVDSS	650			V	VGS=0 В, ID=250 Мка (
Слейте масло из источника напряжения с разбивкой	BVDSS	700			V	VGS=0 В, ID=250 Мка (, TJ = 150 °C
Напряжение порога литника	VGS(й)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 Мка (
Слейте масло из источника по- государство сопротивление	RDS(on)		0.30	0,34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A
Слейте масло из источника по- государство сопротивление	RDS(on)		0,73		Ω	VGS=10 V, ID=6 A, TJ = 150 °C
Ворота источника тока утечки	Гисо			100	Северная Америка	VGS=30 V
Ворота источника тока утечки	Гисо			-100	Северная Америка	VGS=-30 В
Слейте масло из источника тока утечки	Ids			1	Мка (	VDS=650 V, VGS=0 В

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
Входная емкость	Ciss		443,5		PF	VGS=0 В, VDS=50 V, ƒ=100 Кгц
Выходная емкость	Coss		59,6		PF
Емкость передачи заднего хода	Crss		1.7		PF
Время задержки включения	Td(о)		22.4		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ом, ID=6 A
Время нарастания	Tr		17,5		Ns
Время задержки выключения	Td(выкл)		40,3		Ns
Время спада	Tf		7.2		Ns

Ворота характеристики зарядки

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
В общей сложности за заслонки	Qg		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Ворота Источника зарядки	Qgs		2.2		NC
Ворота - Слейте масло из питающего	Qgd		4.5		NC
Напряжение плато литника	Vplateau		6.5		V

Орган характеристики диода

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
Диод напряжение переднего хода	VSD			1.3	V	-=12 A, VGS=0 В
Время восстановления заднего хода	Trr		236.5		Ns	VR=400 V,=6, Di/dt=100 A/мкс
Восстановление заднего хода зарядки	Qrr		2.2		ΜC
Пиковый ток восстановления заднего хода	Irrm		19.1		A

Примечание

Рассчитывается на основе постоянного тока на максимально допустимая температура перехода.
Повторяющиеся рейтинг; ширина импульса ограничивается максимальной температурой p.
Pd - на основе максимальной температуры соединения с помощью контактного тепловое сопротивление в каждом конкретном случае.
Значение RθJA измеряется с помощью устройства установлен на 1 в 2 FR-4 системной платы с 2 унции. Медь, еще воздух окружающей среды с номером Ta=25 °C.
VDD = 100 V, VGS=10 V L=60 mH, начиная TJ = 25 °C .

Forward

Related products

Большой экран для отображения RoHS лучше галлия Nitride (ГАН) устройства с высокой частотой операций Super Si Oss65R340FF для220f Mosfet

US$ 0.2

Телекоммуникационные мощности RoHS 1/3 стоимости галлия Nitride (ГАН) устройства с высокой частотой операций Super Si Oss65R340df на252 Mosfet

US$ 0.2

Стоимость нитрида галлия (GaN) для серверных систем Power RoHS 1/3 Устройство в высокочастотном режиме МОП-транзистор Super Si Os65r340df To252

US$ 0.2

Рч Sugical электроды исполняющих Electro-Coagulation и во время хирургических операций с высокой частотой генератора

US$ 1 ~ 999

Великобритания пробку портативное зарядное устройство с помощью кабеля USB адаптер мобильного телефона зарядные устройства для Oppo Ган адаптер питания 65W быстрого питания

US$ 2.5 ~ 3.7