Стоимость нитрида галлия (GaN) для серверных систем Power RoHS 1/3 Устройство в высокочастотном режиме МОП-транзистор Super Si Os65r340FF To220f

Min.Order: 660
Product origin: Shanghai, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 02 $

Description
 
Общее описание
Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения высокой производительности коммутации и надежной лавинной способности.
Серия GreenMOS® SuperSi основана на уникальном дизайне устройств Oriental Semiconductor, который обеспечивает исключительно быструю коммутацию. Это идеальная замена для устройства Gallium Nitride (GaN) при высокочастотных операциях с большей прочностью и стоимостью. Он предназначен для соответствия самым агрессивным стандартам эффективности систем источник питания, повышая производительность и плотность мощности до предельных значений.

Функции                                                                                                 
  • НИЗКИЙ УРОВЕНЬ RDS(ON) И FOM
  • Крайне низкие потери при переключении
  • Превосходная стабильность и однородность
  • Простота конструкции

Области применения
  • Зарядное устройство PD
  • Большой экран
  • Телекоммуникационное питание
  • Мощность сервера


Ключевые параметры производительности

 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.) 700 В.
ID, импульс 36 А
RDS(ВКЛ), МАКС. ПРИ VGS=10 В. 340
ВГ 9.6 НЗ

Информация о маркировке

 
Название продукта Пакет Маркировка
OSS65R340DF TO252 OSS65R340D

 
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 650 В.
Напряжение источника кулисы VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID (ИДЕНТИФИКАТОР)
12
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 7.6
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 36 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 12 А
Диодный импульсный кард2), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ, пульсом 36 А
Power dissispation3), TC=25 °C. PD 83 W
Одиночная импульсная лавина с напряжением 5) EAS 200 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 15 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Тепловое сопротивление, корпус соединения RθJC 1.5 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки

Напряжение пробоя источника слива

BVDSS
650   
В.
VGS=0 В, ID=250 ΜA
700   VGS=0 в, ID=250 μA, Tj=150 °C.
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) 2.9  3.9 В. VDS=VGS, ID=250 ΜA

Сопротивление при вкл.-источник дренажа

RDS(ВКЛ)
 0.30 0.34
Ω
VGS=10 В, ID=6 A
 0.73  VGS=10 В, ID=6 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
  100
Нет
VGS=30 В
  -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива IDSS   1 μA VDS=650 В, VGS=0 В.

Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS  443.5  ПФ
VGS=0 в, VDS=50 в, ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС  59.6  ПФ
Емкость обратной передачи CRSS  1.7  ПФ
Время задержки включения td(вкл)  22.4  нсм
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=6 A
Время нарастания тр  17.5  нсм
Время задержки выключения td(выкл.)  40.3  нсм
Время осени тф  7.2  нсм

Характеристики задвижки
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая плата за посадку ВГ  9.6  НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 A
Зарядка от источника литника QGS  2.2  НЗ
Задвижка - слив QGD  4.5  НЗ
Напряжение плато затвора Vплато  6.5  В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD   1.3 В. IS=12 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr  236.5  нсм
VR=400 В, IS=6 A,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR  2.2  μC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм  19.1  А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. Значение RθJA измеряется с помощью устройства, установленного на плате 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
  5. VDD=100 в, VGS=10 в, L=60 мГн, запуск Tj=25 °C.





 





Product Tag:
Related categories:
Scroll to Top