Потенциала | 128/256 ГБ/1 ТБ |
Емкость DRAM | 4G |
Модель DRAM | SAMSUNG/Micron/NAN/Modern |
Модель контроллера | SMI2258H=SMI2254G=SMI2258G |
Частицы материала | новый samsung |
Последовательное чтение | 560 МБ/С. |
Последовательная запись | 510 МБ/С. |
IOPS для чтения | 82000 |
IOPS Write (запись в | 80000 |
TBW | 300 |
Чип | 3D V3 |
С DRAM | ДА |
Тип NAND | TLC |
Модель NAND | SAMSUNG |
MTBF (СРЕДНЕЕ ВРЕМЯ | 1000000 |
МОЩНОСТЬ R/W/I * | 5 В ПОСТ. ТОКА/1 А. |
РАЗМЕРЫ В/Ш/Д * | 100×69.9×7,0 мм |
Температура * | ОТ 0 ДО 70 °C. |
Вес | 49g |
Гарантия | 3 лет |
Сертификации | CIC |