Complaint
W25N02KVZEIR: Flash - NAND (SLC) الذاكرة IC سعة 2 جيجابت SPI - رباعي I/O بسرعة 104 ميجاهرتز 7 NS 8-WSION (8×6)
MFR. رقم الجزء: W25N02KVZEIR
MFR.: WINBOND
ورقة البيانات: (أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا أو دردش للحصول على ملف PDF)
حالة RoHS:
الجودة: نسخة أصلية 100%
الضمان: سنة واحدة
نوع الذاكرة | غير متطاير | |
تنسيق الذاكرة | الفلاش | |
التكنولوجيا | الفلاش - NAND (SLC) | |
حجم الذاكرة | 2 جيجابت | |
تنظيم الذاكرة | 256 ميجا × 8 | |
واجهة الذاكرة | SPI - إدخال/إخراج رباعي | |
تردد الساعة | 104 ميجاهرتز | |
وقت دورة الكتابة - Word, Page | 700 ميكرو ثانية | |
وقت الوصول | 7 غرف لغير المدخنين | |
الجهد الكهربي - الإمداد | 2.7 فولت ~ 3.6 فولت | |
درجة حرارة التشغيل | -40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (TA) | |
نوع التركيب | التثبيت على السطح | |
الحزمة / العلبة | 8-WDFN بطانات مكشوفة | |
حزمة جهاز المورد | 8-WON (8×6) | |
رقم المنتج الأساسي | W25N02 |
توفر ذاكرة فلاش W25N02KV (2G-bit) SLC QspiNAND حلاً للتخزين للأنظمة ذات المساحة المحدودة والمسامير والطاقة. تضم عائلة W25N QspiNAND واجهة SPI الشهيرة ومساحة الذاكرة غير المتطايرة الكبيرة التقليدية. وهي مثالية لظل التعليمات البرمجية لذاكرة RAM، حيث تقوم بتنفيذ التعليمات البرمجية مباشرة من SPI ثنائي/رباعي (XIP) وتخزين الصوت والنص والبيانات. يعمل الجهاز على مصدر طاقة واحد من 2.7 فولت إلى 3.6 فولت مع استهلاك تيار منخفض يبلغ 25 مللي أمبير نشط، و10 ميكروأمبير لوضع الاستعداد، و1 ميكروأمبير لإيقاف التشغيل العميق. يتم توفير جميع الأجهزة العائلية من طراز W25N QspiNAND في حزم موفرة للمساحة والتي كان من المستحيل استخدامها في الماضي في الذاكرة المحمولة NAND النموذجية. تم تنظيم صفيف الذاكرة W25N02KV 2G-bit في 131072 صفحة قابلة للبرمجة تبلغ سعة كل منها 2,048 بايت. يمكن برمجة الصفحة بالكامل في المرة الواحدة باستخدام البيانات من المخزن المؤقت الداخلي سعة 2,048 بايت. يمكن مسح الصفحات في مجموعات من 64 (مسح كتلة 128 كيلوبايت). يشتمل W25N02KV على 2048 مكعَّبًَا قابلة للماسك. يدعم W25N02KV واجهة تسلسلية طرفية قياسية (SPI)، و Dual/Quad I/O SPI: ساعة تسلسلية، وتحديد شرائح، وإدخال/إخراج بيانات تسلسلية (DI)، وإدخال/إخراج (DO)، وإدخال/O2 (/WP)، وإدخال/إخراج (I/Hold). يتم دعم ترددات ساعة SPI التي تصل إلى 104 ميجاهرتز مما يسمح بمعدلات ساعة مكافئة تبلغ 208 ميجاهرتز (104 ميجاهرتز × 2) للإدخال/الإخراج المزدوج و46 ميجاهرتز (104 ميجاهرتز × 4) للإدخال/الإخراج الرباعي عند استخدام إرشادات الإدخال/الإخراج ثنائية/رباعية القراءة. يوفر W25N02KV وضع قراءة تسلسل جديد يتيح الوصول بكفاءة إلى صفيف الذاكرة بأكمله باستخدام أمر قراءة واحدة. يوفر المسمار المشحثم والمسمار الذي يحمي الكتابة والقابلين القابل للبرمجة مرونة تحكم إضافية. بالإضافة إلى ذلك، يدعم الجهاز الشركة المصنعة ومعرّف الجهاز القياسي لـ JEDIC، وصفحة معرّف فريدة واحدة وصفحة معلمة واحدة وعشرة صفحات من نوع OTP (بروتوكول روتين التمهيد) من نوع 2,048 بايت. لتوفير إمكانية إدارة أفضل للذاكرة المحمولة NAND، يتوفر نظام تصحيح الأخطاء (ECC) الداخلي القابل للتكوين بواسطة المستخدم في W25N02KV.
إشعار:
