FF2mr12km1 Hochkosmisches Strahlrobustes 2 MΩ Halbbrückenmodul mit CoolSiC™ MOSFET IGBT

62 mm 1200 V, 2 mΩ Halbbrückenmodul  mit  CoolSiC™ MOSFET.

Neue Generation des M1H-Produkts FF1MR12KM1H in Kürze verfügbar.

• Hohe Stromdichte
• Geringe Schaltverluste
• Überlegene Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
• Höchste Robustheit gegen Feuchtigkeit
• Robuste integrierte Körperdiode und damit optimale thermische Bedingungen
• Hohe Robustheit der kosmischen Strahlung
• High-Speed-Schaltmodul mit sehr geringen Verlusten
• Symmetrisches Moduldesign und Schaltverhalten von Ober- und Unterbauteil Schalter
• Standard-Bauweise des Moduls und daher bekannt zuverlässig. Produktion in der Produktionslinie 62mm mit hohen Stückzahlen

IGBT diskrete Druckmaschine, Presspaket,
Leistungsmodule und sogar Stack-Lösungen in verschiedenen Spannungs- und Stromklassen.

Unsere IGBT-Produktauswahl bietet eine Vielzahl unterschiedlicher Geräte. Diese Produkte adressieren eine breite Palette von Anwendungen in den Bereichen Automobil, Traktion, Energieübertragung, Industrie und Consumer-Systeme. Unsere Lösungen bieten sehr geringe Leistungsverluste im Vorwärts- und Sperrzustand, benötigen nur geringe Antriebsleistung und haben einen hohen Wirkungsgrad. Die IGBTs halten Spannungen bis 6,5 kV stand und arbeiten mit einer Schaltfrequenz von 2 kHz bis 50 kHz.

Wir bieten ein breites Portfolio an IGBT-Chips, die in diskreten Kunststoffverpackungen, sogenannten Discretes IGBTs, montiert sind und als Single IGBTs und Co-verpackt mit Freilaufdiode erhältlich sind. Diese Geräte eignen sich für Anwendungen wie Universal-Wechselrichter, Solar-Wechselrichter, USV, Induktionsheizung, Haushaltsgeräte,  Schweißen und SMPS. Vorteile von diskreten IGBT sind hohe Stromdichte und geringe Verlustleistung, was zu einer höheren Effizienz und einem kleineren Kühlkörper führt, um niedrigere Gesamtkosten des Systems zu ermöglichen.
Größere Anordnungen, die grundlegende Bausteine von Leistungselektronik bilden, werden als Leistungsmodule betrachtet, die normalerweise IGBT und Dioden-Matrizen in verschiedenen Topologien kombinieren. Mit Hilfe von Hochleistungskomponenten können diese Leistungsmodule den Anforderungen von Anwendungen mit höchster Leistung gerecht werden.  Von integrierten All-in-One-Modulen mit Gleichrichter, Bremskraftverstärker bis hin zu Inverterbauteilen deckt Infineon Produkte eine Bandbreite von nur Hunderten Watt bis zu mehreren Megawatt ab.  Allzweckantriebe, Servo-Einheiten und Anwendungen mit erneuerbaren Energien wie Solar-Wechselrichter oder Windanwendungen profitieren von der herausragenden Leistung, Effizienz und Langlebigkeit dieser hochzuverlässigen Produkte.
Die HybridPACK™-Familie als spezielle Produktserie mit automobiler Qualifikation steht zur Unterstützung des Designers bei der Elektromobilität zur Verfügung. Infineon unterstützt die Automobilindustrie und bietet eine Vielzahl von diskreten IGBT-Leistungshalbleitern , die gemäß AECQ101 qualifiziert sind.
Um die Einrichtung eines Laborexperiments oder eines ersten Prototyps zu erleichtern, bietet Infineon Evaluierungsboards  für die meisten Produkte an, um Entwicklungszyklen zu beschleunigen. So können innerhalb kürzester Zeit aussagekräftige Ergebnisse generiert werden.