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Super Si Semiconductor de tercera generación 1/3 coste del galio Dispositivo nitruro (GAN) en operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340jf 8 x Pdfn8 MOSFET
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Product origin: Shanghai, China
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Description
 
Descripción general
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza la tecnología de equilibrio de carga para lograr una excelente baja resistencia a la activación y una menor carga de compuerta. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.
La serie SuperSi GreenMOS® se basa en el diseño de dispositivos exclusivo de Oriental Semiconductor para lograr características de conmutación extremadamente rápidas. Es el sustituto perfecto para el dispositivo Galium Nitride (GAN) en operaciones de alta frecuencia con mejor resistencia y coste. Su objetivo es cumplir con los estándares de eficiencia más agresivos de los sistemas alimentación, ya que lleva tanto el rendimiento como la densidad de potencia a límites extremos.

Características                                                                                                 
  • RDS(ON) Y FOM BAJOS
  • Pérdida de conmutación extremadamente baja
  • Excelente estabilidad y uniformidad
  • Fácil de diseñar

Aplicaciones
  • Cargador PD
  • Pantalla grande
  • Energía de las telecomunicaciones
  • Potencia del servidor


Parámetros clave de rendimiento

 
Parámetro Valor Unidad
VDS, mín. A TJ (máx.) 700 V
ID, pulso 36 R
RDS(ON), MÁX. A VGS=10V 340 MΩ
QG 9,6 NC

Información de marcado

 
Nombre del producto Paquete Marcado
OSS65R340JF PDFN8×8 OSS65R340J

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 
Parámetro Símbolo Valor Unidad
Tensión de la fuente de drenaje VDS 650 V
Tensión de la fuente de la puerta VGS ±30 V
Drenaje continuo current1), TC=25 °C.
ID 		12
R
Drenaje continuo current1), TC=100 °C. 7,6
Drenaje pulsado current2), TC=25 °C. ID, pulso 36 R
Diodo continuo de avance current1), TC=25 °C. ES 12 R
Diodo pulsado current2), TC=25 °C. ES, pulso 36 R
Potencia dissipation3), TC=25 °C. PD 83 W
Avalancha por pulsos única energy5) EAS 200 MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V. dv/dt 50 V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID dv/dt 15 V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento Tstg, TJ -55 a 150 °C

Características térmicas
 
Parámetro Símbolo Valor Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones RθJC 1,5 °C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4) RθJA 62 °C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario
Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad Condición de prueba

Tensión de interrupción de la fuente de drenaje
BVDSS 		650   
V 		VGS=0 V, ID=250 ΜA
700   VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C.
Tensión de umbral de puerta VGS(TH) 2,9  3,9 V VDS=VGS, ID=250 ΜA

Resistencia del estado de encendido de la fuente de drenaje
RDS (ACTIVADO) 		 0,30 0,34
Ω 		VGS=10 V, ID=6 A.
 0,73  VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 °C.
Corriente de fuga de la fuente de inyección
IGS 		  100
Na 		VGS=30 V.
  -100 VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje IDSS   1 μA VDS=650 V, VGS=0 V.


Características dinámicas
Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad Condición de prueba
Capacitancia de entrada CISS  443,5  PF
VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacitancia de salida COSS  59,6  PF
Capacitancia de transferencia inversa CRSs  1,7  PF
Tiempo de retardo de encendido td (activado)  22,4  no
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A
Tiempo de subida tr  17,5  no
Tiempo de retardo de apagado td (desactivado)  40,3  no
Tiempo de caída tf  7,2  no

Características de carga de puerta
Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad Condición de prueba
Carga total de la puerta QG  9,6  NC

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A.
Cargo de origen de puerta QGS  2,2  NC
Carga de drenaje del punto de inyección Qgd  4,5  NC
Tensión de la meseta de la puerta VPlateau  6,5  V

Características del diodo corporal
Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad Condición de prueba
Tensión de avance del diodo VSD   1,3 V IS=12 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación trr  236,5  no
VR=400 V, IS=6 A,
Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa QRR  2,2  μC
Corriente de recuperación inversa pico Irrm  19,1  R

Nota
  1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
  2. Valor nominal repetitivo; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
  3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
  4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en 1 en la placa 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire quieto con ta=25 °C.
  5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 MH, TJ inicial=25 °C.


 
 





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