Server Power RoHS 1/3 de costo de nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340FF para Mosfet220f

Min.Order: 660

Product origin: Shanghai, China

Infringement complaint:

Complaint

US$ 0.2

Description

Descripción general
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una excelente resistencia a la baja y bajar la compuerta de carga. Ha sido diseñado para minimizar la pérdida de la conducción, ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y sólida capacidad de avalancha.
La serie SuperSi GreenMOS® se basa en el semiconductor orientales exclusivo diseño del dispositivo para lograr las características de conmutación extremadamente rápido. Es el perfecto sustituto para el nitruro de galio (GaN) dispositivo en las operaciones de alta frecuencia con la mejor de la robustez y costo. Está orientado a satisfacer las normas de eficiencia más agresivo de los sistemas de alimentación empujando tanto el rendimiento y densidad de potencia a límites extremos.

Características

Bajo RDS(on) y la FOM
Extremadamente baja pérdida de conmutación
Excelente estabilidad y uniformidad
Fácil diseño en

Aplicaciones

Cargador de PD
Pantalla grande
El poder de telecomunicaciones
Alimentación del servidor.

Los parámetros de rendimiento clave

El parámetro	Valor	Unidad
VDS, min @ Tj(máx.).	700	V
Pulso, ID.	36	Un
RDS(on), max @ VGS=10V	340	MΩ
Qg	9.6	NC

Marcar información

El nombre del producto	Paquete	El marcado
OSS65R340DF	A252	OSS65R340D

Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la tensión de fuente	VDS.	650	V
Gate-tensión de la fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo¹⁾, el TC=25 °C	ID.	12	Un
Corriente de drenaje continuo¹⁾, el TC=100 °C	ID.	7.6	Un
Impulsos de corriente de drenaje²⁾, el TC=25 °C	Pulso, ID.	36	Un
Diodo continua corriente¹⁾, el TC=25 °C	Es	12	Un
El diodo corriente pulsada²⁾, el TC=25 °C	Es, el pulso	36	Un
Disipación de potencia³⁾, el TC=25 °C	PD	83	W
Solo avalancha de pulsos de energía5).	EAS	200	MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V.	Dv/dt	50	V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	15	V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C.

Las características térmicas

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	1.5	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=250 µa
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	700			V	VGS = 0 V, ID=250 µa, TJ=150 °C
Tensión umbral de puerta	VGS(a)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 µa
Fuente de drenaje en el estado resistencia	RDS(on)		0.30	0.34	Ω.	VGS=10 V, ID=6
Fuente de drenaje en el estado resistencia	RDS(on)		0.73		Ω.	VGS=10 V, ID=6, TJ=150 °C
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS=30 V
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			-100	NA	VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga.	IDSS			1	ΜA	VDS=650 V, VGS = 0 V.

Características dinámicas

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
La capacitancia de entrada	La CISS		443.5		PF	VGS = 0 V, VDS.=50 V, ƒ=100 KHz.
La capacitancia de salida	Coss		59.6		PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		1.7		PF
Tiempo de retardo de encendido	Td(en)		22.4		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6
Tiempo de subida	Tr		17.5		Ns
Desactivar el tiempo de retraso	Td(off)		40.3		Ns
Tiempo de bajada	Tf		7.2		Ns

Características de carga de la puerta

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El total de carga de la puerta	Qg		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6
Carga de la fuente de puerta.	Qgs		2.2		NC
Carga de drenaje de puerta.	Qgd		4.5		NC
Tensión de la meseta de puerta	Vplateau		6.5		V

Características Diodo cuerpo

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El diodo tensión directa	VSD			1.3	V	Es de=12, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación	Trr		236,5		Ns	VR=400 V, es de=6, Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr		2.2		ΜC
El pico de corriente de recuperación inversa	Irrm		19.1		Un

Nota

Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 °C.
VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, a partir de TJ=25 °C.

Forward

Related products

Server Power RoHS 1/3 de costo de nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340FF para Mosfet220f

US$ 0.2

Server Power RoHS 1/3 de costo de nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340DF252 Mosfet

US$ 0.2

Server Power RoHS mejor que el nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340DF252 Mosfet

US$ 0.2

Telecom RoHS potencia 1/3 de costo de nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340DF252 Mosfet

US$ 0.2

Telecom RoHS potencia 1/3 de costo de nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet

US$ 0.2

Telecom RoHS potencia 1/3 de costo de nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340DF252 Mosfet

US$ 0.2

Pantalla grande RoHS mejor que el nitruro de galio (GAN) Dispositivo en Operaciones de Alta frecuencia Super Si Oss65r340FF To220f MOSFET

US$ 0.2

Telecom RoHS potencia mejor que el nitruro de galio (GaN) Dispositivo en las operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet

US$ 0.2

Customers Also viewed

Super Si Semiconductor de tercera generación 1/3 coste del galio Dispositivo nitruro (GAN) en operaciones de alta frecuencia Super Si Oss65r340jf 8 x Pdfn8 MOSFET

US$ 0.2