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| El parámetro | Valor | Unidad |
| VDS, min @ Tj(máx.). | 700 | V |
| Pulso, ID. | 36 | Un |
| RDS(on), max @ VGS=10V | 340 | MΩ |
| Qg | 9.6 | NC |
| El nombre del producto | Paquete | El marcado |
| OSS65R340DF | A252 | OSS65R340D |
| El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Vaciado de la tensión de fuente | VDS. | 650 | V |
| Gate-tensión de la fuente | VGS | ±30 | V |
| Corriente de drenaje continuo1), el TC=25 °C | ID. | 12 | Un |
| Corriente de drenaje continuo1), el TC=100 °C | 7.6 | ||
| Impulsos de corriente de drenaje2), el TC=25 °C | Pulso, ID. | 36 | Un |
| Diodo continua corriente1), el TC=25 °C | Es | 12 | Un |
| El diodo corriente pulsada2), el TC=25 °C | Es, el pulso | 36 | Un |
| Disipación de potencia3), el TC=25 °C | PD | 83 | W |
| Solo avalancha de pulsos de energía5). | EAS | 200 | MJ |
| Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V. | Dv/dt | 50 | V/ns |
| Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID. | Dv/dt | 15 | V/ns |
| Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C. |
| El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Resistencia térmica, en la intersección de los casos | RθJC | 1.5 | °C/W |
| Resistencia térmica, junction ambiente4). | RθJA | 62 | °C/W |
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
Vaciar el origen de la tensión de ruptura | BVDSS | 650 | V | VGS = 0 V, ID=250 µa | ||
| 700 | VGS = 0 V, ID=250 µa, TJ=150 °C | |||||
| Tensión umbral de puerta | VGS(a) | 2.9 | 3.9 | V | VDS=VGS, ID=250 µa | |
Fuente de drenaje en el estado resistencia | RDS(on) | 0.30 | 0.34 | Ω. | VGS=10 V, ID=6 | |
| 0.73 | VGS=10 V, ID=6, TJ=150 °C | |||||
| Gate-fuente corriente de fuga. | IGSS | 100 | NA | VGS=30 V | ||
| -100 | VGS=-30 V | |||||
| Fuente de drenaje de corriente de fuga. | IDSS | 1 | ΜA | VDS=650 V, VGS = 0 V. |
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
| La capacitancia de entrada | La CISS | 443.5 | PF | VGS = 0 V, VDS.=50 V, ƒ=100 KHz. | ||
| La capacitancia de salida | Coss | 59.6 | PF | |||
| La transferencia inversa la capacitancia | Sir | 1.7 | PF | |||
| Tiempo de retardo de encendido | Td(en) | 22.4 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 | ||
| Tiempo de subida | Tr | 17.5 | Ns | |||
| Desactivar el tiempo de retraso | Td(off) | 40.3 | Ns | |||
| Tiempo de bajada | Tf | 7.2 | Ns |
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
| El total de carga de la puerta | Qg | 9.6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 | ||
| Carga de la fuente de puerta. | Qgs | 2.2 | NC | |||
| Carga de drenaje de puerta. | Qgd | 4.5 | NC | |||
| Tensión de la meseta de puerta | Vplateau | 6.5 | V |
| El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
| El diodo tensión directa | VSD | 1.3 | V | Es de=12, VGS = 0 V. | ||
| Invertir el tiempo de recuperación | Trr | 236,5 | Ns | VR=400 V, es de=6, Di/dt=100 A/μs | ||
| Carga de la recuperación de marcha atrás | Qrr | 2.2 | ΜC | |||
| El pico de corriente de recuperación inversa | Irrm | 19.1 | Un |
