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Topologia PFC de Viena fonte de alimentação electrónica de consumo Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Comutação rápida e recuperação suave baixa RDS (ON) 1.1mΩ, MOSFET
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Min.Order: 660
Product origin: Shanghai, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ US$ 02

Description
Descrição Geral
O MOSFET da FSMOS baseia-se no design exclusivo do dispositivo da Oriental Semiconductor para obter RDS (LIGADO) baixo, carga de porta baixa, comutação rápida e excelentes características de avalanche. A série Vth baixa foi especialmente optimizada para sistemas de rectificação síncrona com baixa tensão de condução.


Comodidades
  • RDS baixo (LIGADO) e FOM (Figura de mérito)
  • Perda de comutação extremamente baixa                                                                
  • Excelente fiabilidade e uniformidade
  • Comutação rápida e recuperação suave
  • AEC-Q101 qualificado para aplicações automóveis

Aplicações
  • Fonte de alimentação electrónica de consumo
  • Controlo do motor
  • Retificação síncrona
  • Conversor CC/CC isolado
  • Invertors (inversores)


Parâmetros de desempenho chave

 
Parâmetro Valor Unidade
VDS 40 V
ID, impulso 600 A
RDS (LIGADO) MÁX. @ VGS: 10 V. 1.1 MΩ
QG 118.4 NC

Informações de marcação

 
Nome do produto Pacote Marcação
SFS04R013UGF PDFN5 x 6 SFS04R013UG

 
 
As classificações máximas absolutas a TJ são de 25 ° C, salvo indicação em contrário
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Voltagem da fonte de drenagem VDS 40 V
Tensão da fonte da porta VGS ± 20 V
Corrente de purga continual1), TC 25 ° C ID 200 A
Corrente de purga pulsar2), TC 25 ° C ID, impulso 600 A
Corrente contínua de avanço de diodos 1), TC 25 ° C É 200 A
Corrente pulsante de diodos 2), TC 25 ° C IS, impulso 600 A
Dissipação de energia3), TC 25 ° C PD 178 W
Energia de avalanche pulsada simples 5) EAS 144 MJ
Temperatura de funcionamento e armazenamento Tstg, TJ -55 a 175 ° C

Características térmicas
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caixa de junção RθJC 0.84 ° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4) RθJA 62 ° C/W

Características eléctricas a 25 ° C, excepto especificação em contrário
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Drenagem - Tensão de avaria da fonte BVDSS 40   V VGS 250 0 V, ID: ΜA
Tensão limite da porta VGS (TH) 1.2  2.5 V VDS 250 VGS, ID: ΜA
Resistência de estado ligado da fonte de drenagem RDS (LIGADO)  0.9 1.1 MΩ VGS: 10 V, ID: 20 A
Resistência de estado ligado da fonte de drenagem RDS (LIGADO)  1.5 2.0 MΩ VGS: 6 V, ID: 20 A
Porta - corrente de fuga da fonte
IGSS 		  100
An 		VGS: 20 V
  -100 O VGS É DE -20 V.
Corrente de fuga da fonte de drenagem IDSS   1 UA VDS: 40 V, VGS: 0 V
Resistência da porta RG  3.2  Ω ƒ 1 MHz, dreno aberto

Características dinâmicas
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Capacidade de entrada CISS  5453  PF
VGS: 0 V, VDS: 25 V,
ƒ 100 kHz
Capacidade de saída COSS  1951  PF
Capacidade de transferência inversa CRSs  113  PF
Tempo de atraso de activação td (ligado)  23.9  ns
VGS: 10 V, VDS: 40 V, RG Ω 2 40, ID: A
Tempo de subida tr  16.9  ns
Desligar o tempo de atraso td (desligado)  80.4  ns
Tempo de queda tf  97.7  ns

Características de carga da porta
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Carga total da porta QG  85.6  NC

VGS: 10 V VDS: 40 V, ID: 40 A,
Gate - carregamento da fonte QGS  17.6  NC
Porta - carga de drenagem QGD  14.5  NC
Tensão de plateau da porta Vplatô  3.6  V

Características do díodo da carroçaria
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do díodo VSD   1.3 V É DE 20 A, VGS: 0 V
Tempo de recuperação inverso trr  71.1  ns
40 V, 40 A,
Di/dt: 100 A/μs
Carga de recuperação inversa QRR  50.1  NC
Corrente de recuperação de pico inverso Irrm  1.2  A

Nota
  1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
  2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
  3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado numa placa FR-4 in2 com 2 oz. Cobre, num ambiente de ar imóvel com Ta 25 ° C.
VDD: 30 V, VG: 10 V, L: 0.3 MH, arranque TJ: 25 ° C.


 
 





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