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Carregador de carro RoHS Server Power Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ Díodo de recuperação rápida regulador de alta tensão MOSFET
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Min.Order: 660
Product origin: Shanghai, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ US$ 02

Description
Descrição Geral
O MOSFET de alta tensão GreenMOS utiliza a tecnologia de equilíbrio de carga para alcançar uma excelente resistência baixa e carga de porta mais baixa. Foi concebido para minimizar a perda de condução, proporcionar um desempenho de comutação superior e uma robusta capacidade de avalanche.
A série Z da GreenMOS está integrada com um díodo de recuperação rápida (FRD) para minimizar o tempo de recuperação inversa. É adequado para topologias de comutação ressonantes para alcançar maior eficiência, maior confiabilidade e fator de forma menor.

Comodidades
  • RDS BAIXO (LIGADO) E FOM
  • Perda de comutação extremamente baixa
  • Excelente estabilidade e uniformidade
  • Díodo de corpo ultra-rápido e robusto

Aplicações                                                                                           
  • Alimentação do PC
  • Energia de telecomunicações
  • Alimentação do servidor
  • Carregador de EV
  • Acionador do motor


Parâmetros de desempenho chave
 
Parâmetro Valor Unidade
VDS, mín. @ TJ (máx.) 650 V
ID, impulso 240 A
RDS (LIGADO), MÁX. @ VGS: 10 V. 30 MΩ
QG 178 NC

Informações de marcação
 
Nome do produto Pacote Marcação
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
As classificações máximas absolutas a TJ são de 25 ° C, salvo indicação em contrário
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Drenagem - Tensão de origem VDS 600 V
Porta - tensão de fonte VGS ± 30 V
Corrente de purga continual1), TC 25 ° C
ID 		80
A
Corrente de purga continual1), TC 100 ° C 50
Corrente de purga pulsar2), TC 25 ° C ID, impulso 240 A
Corrente contínua de avanço de diodos 1), TC 25 ° C É 80 A
Corrente pulsante de diodos 2), TC 25 ° C É, impulso 240 A
Dissipação de energia3), TC 25 ° C PD 480 W
Energia de avalanche pulsada simples 5) EAS 2500 MJ
Robustez MOSFET dv/dt, VDS … 0 480 V dv/dt 50 V/ns
Díodo de marcha-atrás dv/dt, VDS … 0 480 ≤ V, ISD ID dv/dt 50 V/ns
Temperatura de funcionamento e armazenamento Tstg, TJ -55 a 150 ° C

Características térmicas
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caixa de junção RθJC 0.26 ° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4) RθJA 62 ° C/W

Características eléctricas a 25 ° C, excepto especificação em contrário
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Drenagem - Tensão de avaria da fonte BVDSS 600   V O VALOR DE VGS É DE 0 V, COM UMA ID DE 1 MA
Tensão limite da porta VGS (TH) 3.0  4.5 V VDS: VGS, ID: 2 MA,

Fonte de drenagem
resistência no estado ligado
RDS (LIGADO) 		 0.028 0.030
Ω 		VGS: 10 V, ID: 40 A
 0.058  VGS: 10 V, ID: 40 A, TJ: 150 ° C
Porta - corrente de fuga da fonte
IGSS 		  100
An 		VGS: 30 V
  -100 VGS: -30 V
Corrente de fuga da fonte de drenagem IDSS   10 μA VDS: 600 V, VGS: 0 V
Resistência da porta RG  2.1  Ω ƒ 1 MHz, dreno aberto


Características dinâmicas
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Capacidade de entrada CISS  9343  PF
VGS: 0 V, VDS 50 ƒ V, 100 kHz
Capacidade de saída COSS  708  PF
Capacidade de transferência inversa CRSs  15  PF
Capacidade de saída efectiva, relacionada com energia Co(er)  345  PF
VGS: 0 V, VDS: 0 V - 400 V
Capacidade de saída efectiva, relacionada com o tempo Co (tr)  1913  PF
Tempo de atraso de activação td (ligado)  52.1  ns
VGS: 10 V, VDS: 400 V, RG Ω 2 40, ID: A
Tempo de subida tr  105.2  ns
Desligar o tempo de atraso td (desligado)  125.7  ns
Tempo de queda tf  4.1  ns

Características de carga da porta
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Carga total da porta QG  177.9  NC

VGS: 10 V, VDS: 400 V, ID: 40 A
Gate - carregamento da fonte QGS  37.4  NC
Porta - carga de drenagem QGD  78.4  NC
Tensão de plateau da porta Vplatô  6.2  V

Características do díodo da carroçaria
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do díodo VSD   1.4 V É DE 80 A, VGS: 0 V
Tempo de recuperação inverso trr  186.6  ns
É DE 40 A,
Di/dt: 100 A/μs
Carga de recuperação inversa QRR  1.6  μC
Corrente de recuperação de pico inverso Irrm  15.4  A

Nota
  1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
  2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
  3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. VDD: 100 V, VGS: 10 V, L: 80 MH, arranque TJ: 25 ° C.

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