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O Modo de Melhoramento de transistor de potência MOSFET de canal N para252 Osg80R650DF Vds-850V ID-24A RDS (A) -650milliohm-12.1Qg nf para Telecom Power Server Power

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Product origin: Shanghai, China
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US$ -1

Description


 Descrição geral
O  GreenMOS®    MOSFET de alta tensão  utiliza    tecnologia de equilíbrio de carga  para  obter  uma baixa  de resistência  e  abaixe a  tampa .  Ele  é  projetado  para  minimizar a   perda da condução, fornecem   desempenho de comutação superior  e  robusta   capacidade avalanche.
O  GreenMOS®    série genérico  é  otimizado  para      desempenho de comutação extremas  para  minimizar a  perda de comutação.  Ele  é  adequado  para       aplicações de alta densidade de energia  para  satisfazer  as  mais elevadas  normas de eficiência energética.

Dispõe de
     Baixa  RDS(ligado) &  FOM
     Extremamente  Baixa   perda de comutação
     Excelente  estabilidade  e  homogeneidade

Os pedidos
      Potência do PC
      Iluminação de LED
      Potência de Telecom
      A energia do servidor
      Carregador de EV
     A Solar/UPS

  Os parâmetros de desempenho chave

O parâmetro Valor Unidade
O VDS, min  @ tj(max) 850 V
ID,  pulso 24 Um
RDS(ligado) , max  @ VGS  =10V 650 MΩ
Qg 12. 1 NC


  As classificações de máximo absoluto  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro Símbolo Valor Unidade
 Tensão da fonte de drenagem O VDS 800 V
 Tensão da fonte de bico valvulado VGS ±30 V
  Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C
ID 		8
Um
  Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C 5
  Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C ID,  pulso 24 Um
 Diodo contínua   corrente de avanço1), Tc=25 °C É 8 Um
  Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C É, pulso 24 Um
 Dissipação de energia3), Tc=25 °C PD 83 W
   Energia avalanche pulsada única5) O EAS 240 MJ
 Dv/dt MOSFET  robustez, VDS  =0…480 V Dv/dt 50 V/ns
 Díodo de ré  dv/dt, VDS  =0…480 V, DSI≤ID Dv/dt 15 V/ns
   Temperatura de operação e armazenamento Tstg  , TJ -55 a 150 °C


 As características térmicas

O parâmetro Símbolo Valor Unidade
 Resistência térmica, caso de junção RθJC 1.5 °C/W
 Resistência térmica, cruzamento-ambient4) RθJA 62 °C/W


 Características eléctricas  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade  Condição de teste
         Tensão de ruptura de fonte de drenagem
BVDSS 		800   
V 		VGS  = 0 V, ID  =250 μA
850 930  VGS  = 0 V, ID  =250 μA, tj  = 150 °C
 O limiar da porta
A tensão 		VGS (TH) 2.0  4.0 V O VDS  =VGS , ID =250 μA
Fonte de drenagem  na   resistência do Estado-
RDS(ligado) 		 0,55 0,65
Ω 		VGS  =10 V, ID=4  A
 1.48  VGS  =10 V, ID=4 A,
Tj  = 150 °C
Fonte de bico valvulado
 A corrente de fuga
IGSS 		  100
América do Norte 		VGS  =30 V
  - 100 VGS  =-30 V
Fonte de drenagem
 A corrente de fuga 		IDSS   10 ΜA O VDS  =800 V, VGS  = 0 V


Nota
1)   Calculados    com base  em corrente contínua a  máxima  admissível de   temperatura da junção.
2) A     classificação de repetitivas; a  largura de pulso  limitada  por  um máximo de  temperatura da junção.
3)   PD  é  baseado  em  um máximo de  temperatura da junção, usando a    resistência térmica da caixa de junção.
4)    O  valor  de  RθJA  é  medido  com  o  dispositivo  montado  no 1 em 2 FR-4 board  com 2oz. Cobre, em  um    ambiente  com ar ainda  Ta = 25 °C.
5)    VDD=100 V, VGS  =10 V, L=20 mH, começando a  tj  = 25 °C.


 Informações de encomenda

Package
Digite 		Unidades
O molinete 		Os molinetes/     Caixa interior Unidades/    Caixa interior  Caixas interiores/  caixa de papelão  Unidades/     caixa de papelão  
A252-C 2500 2 5000 5 25000


 Informações do produto

Produto Package Pb  Free RoHS  Livres de halogênio
Gsg80R650DF A252 Sim Sim Sim


Cadeia de Fornecimento



Declaração do Produto verde

 
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