O parâmetro | Valor | Unidade |
O VDS, min @ tj(max) | 850 | V |
ID, pulso | 24 | Um |
RDS(ligado) , max @ VGS =10V | 650 | MΩ |
Qg | 12. 1 | NC |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão da fonte de drenagem | O VDS | 800 | V |
Tensão da fonte de bico valvulado | VGS | ±30 | V |
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C | ID | 8 | Um |
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C | 5 | ||
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C | ID, pulso | 24 | Um |
Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C | É | 8 | Um |
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C | É, pulso | 24 | Um |
Dissipação de energia3), Tc=25 °C | PD | 83 | W |
Energia avalanche pulsada única5) | O EAS | 240 | MJ |
Dv/dt MOSFET robustez, VDS =0…480 V | Dv/dt | 50 | V/ns |
Díodo de ré dv/dt, VDS =0…480 V, DSI≤ID | Dv/dt | 15 | V/ns |
Temperatura de operação e armazenamento | Tstg , TJ | -55 a 150 | °C |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Resistência térmica, caso de junção | RθJC | 1.5 | °C/W |
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de ruptura de fonte de drenagem | BVDSS | 800 | V | VGS = 0 V, ID =250 μA | ||
850 | 930 | VGS = 0 V, ID =250 μA, tj = 150 °C | ||||
O limiar da porta A tensão | VGS (TH) | 2.0 | 4.0 | V | O VDS =VGS , ID =250 μA | |
Fonte de drenagem na resistência do Estado- | RDS(ligado) | 0,55 | 0,65 | Ω | VGS =10 V, ID=4 A | |
1.48 | VGS =10 V, ID=4 A, Tj = 150 °C | |||||
Fonte de bico valvulado A corrente de fuga | IGSS | 100 | América do Norte | VGS =30 V | ||
- 100 | VGS =-30 V | |||||
Fonte de drenagem A corrente de fuga | IDSS | 10 | ΜA | O VDS =800 V, VGS = 0 V |
Package Digite | Unidades O molinete | Os molinetes/ Caixa interior | Unidades/ Caixa interior | Caixas interiores/ caixa de papelão | Unidades/ caixa de papelão |
A252-C | 2500 | 2 | 5000 | 5 | 25000 |
Produto | Package | Pb Free | RoHS | Livres de halogênio |
Gsg80R650DF | A252 | Sim | Sim | Sim |