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MOSFET TO247-F 800W Ost75n65hsmf à perte de commutation extrêmement faible Fabricant 30V systèmes photovoltaïques transistor IGBT Tri-Gate
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Min.Order: 5 000
Product origin: Shanghai, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 2.5 ~ 3

Description

Description générale
OST75N65HSMF utilise la technologie brevetée Trident-Gate Bipolar transistor (TGBTTM) d'Oriental-semi pour fournir un VCE (SAT) extrêmement faible, une faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Ce dispositif est adapté aux convertisseurs de fréquence de commutation moyenne à haute.

Fonctionnalités
 Technologie TGBTTM avancée
Excellente perte de conduction et de commutation
Excellente stabilité et uniformité
Diode antiparallèle rapide et souple

Applications
Convertisseurs à induction
Alimentations sans coupure


Chaîne d'approvisionnement



Déclaration de produit écologique

 







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